晶體管 RJK2057DPA-00#J0 MOSFET
發(fā)布時間：2018/10/30
RJK2057DPA-00#J0介紹：
描述 MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 200V 20A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 20A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 85 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1250pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-WPAK
封裝/外殼 8-PowerWDFN
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以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。
Renesas Electronics是一家在全球范圍內(nèi)擁有市場領(lǐng)先的出色產(chǎn)品組合的半導(dǎo)體公司。Renesas擁有的各類領(lǐng)先技術(shù)和能力可為專注于人類需求的時代提供所需的一切，包括安全技術(shù)、微型化和節(jié)能技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)以及接口技術(shù)。
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