NSVMMUN2232LT1G介紹：

描述 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 36 周

詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預(yù)偏置

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包裝    帶卷（TR）  

零件狀態(tài) 在售

晶體管類型 NPN - 預(yù)偏壓

電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V

電阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms

電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 4.7 kOhms

不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 15 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA

電流 - 集電極截止（最大值） 500nA

功率 - 最大值 246mW

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）

基本零件編號(hào) MMUN22**L

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