晶體管LBD59N04E FET
發(fā)布時間：2018/4/16
LBD59N04E介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 59A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 50nC @ 5V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2190pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 18 毫歐 @ 35A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-263-5
封裝/外殼 TO-263-6，D2Pak（5 引線 + 接片），TO-263BA
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導體三極管，它是通過一定的工藝將兩個PN結結合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結構；外部引出三個極：集電極，發(fā)射極和基極，集電極從集電區(qū)引出，發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出，基極從基區(qū)引出（基區(qū)在中間）；BJT有放大作用，重要依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸到達集電區(qū)而實現的，為了保證這一傳輸過程。
