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IRF9Z24 IR 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單

發(fā)布時(shí)間:2017/6/2

零件編號(hào) IRF9Z24-ND

制造商 Vishay Siliconix

制造商零件編號(hào) IRF9Z24

含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)(MSL 1(無(wú)限)

產(chǎn)品

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 過(guò)期

FET 類型 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源極電壓(Vdss 60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°時(shí)) 11ATc

不同 Id 時(shí)的 Vgsth)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 19nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 570pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 60WTc

不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 280 毫歐 @ 6.6A,10V

工作溫度 -55°C ~ 175°CTJ

安裝類型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

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