BSZ0902NSI介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL

類別 分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝  帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 21A（Ta），40A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.8 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1500pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），48W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼 8-PowerTDFN

安富利（深圳）商貿有限公司介紹：

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晶體管實際上是所有現(xiàn)代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規(guī)模生產(chǎn)的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。

英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質量和創(chuàng)新性著稱，并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領域掌握尖端技術。英飛凌的業(yè)務遍及全球，在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。