SI4630DY-T1-E3介紹：

描述 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO

表面貼裝 N 溝道 25V 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO

類別 分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 25V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 40A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.7 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 161nC @ 10V

Vgs（最大值） ±16V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6670pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.5W（Ta），7.8W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 8-SO

封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區(qū)別。