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存儲器 DS1245AB-100 NVSRAM

發(fā)布時間:2018/6/5

DS1245AB-100介紹:
描述 IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 NVSRAM(非易失性 SRAM) 存儲器 IC 1Mb (128K x 8) 并聯(lián) 100ns 32-EDIP
類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 Maxim Integrated
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量 1Mb (128K x 8)
寫周期時間 - 字,頁 100ns
訪問時間 100ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 4.75 V ~ 5.25 V
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 32-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應商器件封裝 32-EDIP
基本零件編號 DS1245AB
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:

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這些器件也稱為記憶元件。在計算機中采用只有兩個數(shù)碼“0”和“1”的二進制來表示數(shù)據(jù)。中國聯(lián)保網(wǎng)記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。