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晶體管 IPD079N06L3 G MOSFET - 單

發(fā)布時(shí)間:2018/6/5

IPD079N06L3 G介紹:

描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 50A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 34μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 79W(Tc)

不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 7.9 毫歐 @ 50A,10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3

封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

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公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。