晶體管 SGW25N120 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/17
SGW25N120介紹：
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
IGBT 類(lèi)型 NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 46A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 84A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 3.6V @ 15V，25A
功率 - 最大值 313W
開(kāi)關(guān)能量 3.7mJ
輸入類(lèi)型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 225nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 45ns/730ns
測(cè)試條件 800V，25A，22 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷(xiāo)售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛(ài)特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philips)、
海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、
臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛(ài)特梅爾(Atmel)、安捷倫;
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三極管處于放大狀態(tài)還是開(kāi)關(guān)狀態(tài)要看給三極管基極加的直流偏 置，隨這個(gè)電流變化，三極管工作狀態(tài)由截止-線性區(qū)-飽和狀態(tài)變化而變， 如果三極管Ib（直流偏置點(diǎn)）一定時(shí)，三極管工作在線性區(qū)，此時(shí)Ic電流的變化只隨著Ib的交流信號(hào)變化，Ib繼續(xù)升高，三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)，此時(shí)三極管的Ic不再變化，三極管將工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。
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