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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 BC848BLT1G 晶體管

發(fā)布時(shí)間:2018/4/19

BC848BLT1G介紹;
描述 TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無(wú)限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 4 周
詳細(xì)描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 30V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
電流 - 集電極截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300mW
頻率 - 躍遷 100MHz
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3(TO-236)



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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。 [1]