存儲(chǔ)器MT41K1G8SN-125:A DRAM
發(fā)布時(shí)間:2018/4/13
MT41K1G8SN-125:A介紹:
類別 集成電路(IC)
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3L
存儲(chǔ)容量 8Gb (1G x 8)
時(shí)鐘頻率 800MHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè) -
訪問(wèn)時(shí)間 13.75ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.283 V ~ 1.45 V
工作溫度 0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA(9x13.2)
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動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線,而地址引腳只有8條。為了形成64K地址,必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計(jì)一個(gè)地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號(hào)能分時(shí)地加到8個(gè)地址的引腳上,借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲(chǔ)單元,鎖存信號(hào)也靠著外部地址電路產(chǎn)生。
