存儲(chǔ)器MT48H16M32L2B5-8IT DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/12
MT48H16M32L2B5-8IT介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) Digi-Key 停止供應(yīng)
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - 移動(dòng) LPSDR
存儲(chǔ)容量 512Mb （16M x 32）
時(shí)鐘頻率 125MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) -
訪問時(shí)間 7.5ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 90-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝 90-VFBGA（8x13）
基本零件編號(hào) MT48H16M32
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡(jiǎn)單高效，每一個(gè)bit只需要一個(gè) 晶體管另加一個(gè)電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯(cuò)，因此電容必須被周期性的 刷新（預(yù)充電），這也是DRAM的一大特點(diǎn)。而且電容的充放電需要一個(gè)過程，刷新頻率不可能無限提升（頻障），這就導(dǎo)致DRAM的頻率很容易達(dá)到上限，即便有先進(jìn)工藝的支持也收效甚微。隨著科技的進(jìn)步，以及人們對(duì) 超頻的一種意愿，這些頻障也在慢慢解決。
