晶體管 PSMN1R0-30YLC MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/9/26
PSMN1R0-30YLC介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.15 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 103.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6645pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 272W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼 SC-100，SOT-669，4-LFPAK
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理論上和實際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數(shù)伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優(yōu)勢得以發(fā)揮。
恩智浦(NXP)自2006年9月1日起，成為全球半導(dǎo)體市場的獨立領(lǐng)導(dǎo)廠商之一。名稱中蘊含著 “新的體驗”(Next Experience)的意義，稟承英文品牌的精神, 中文名稱中的”浦”字，強調(diào)恩智浦累積過去在飛利浦53年以來的珍貴經(jīng)驗與豐富資源。
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